多Bank并行架构+0.17ns访问时间:K4A8G165WC-BCTD的高速存储特性
三星K4A8G165WC-BCTD是一款8Gbit DDR4内存颗粒,采用512Mx16结构,支持最高3200Mbps数据传输速率和1.2V低工作电压。该芯片具备DDR4-3200规格的高速性能,通过双倍数据速率技术实现高效带宽,同时采用多Bank并行架构和自动刷新等节能设计,显著降低功耗。其96-ball FBGA封装适合紧凑布局,广泛应用于服务器、个人电脑及工业嵌入式系统等领域,满足高性能计算
K4A8G165WC-BCTD:8Gbit DDR4内存颗粒的高速与低功耗技术解析
在服务器、个人电脑及工业嵌入式系统等领域,内存的带宽与容量直接影响着系统的整体运算效率。DDR4 SDRAM凭借其成熟的工艺、较高的数据传输速率以及良好的能效表现,成为众多计算平台的基础组件。
K4A8G165WC-BCTD是三星电子推出的一款8Gbit DDR4 SDRAM内存颗粒,采用512M x 16的组织结构,专为需要高带宽、大容量和低功耗平衡的高性能计算与嵌入式应用而设计。
核心规格参数
| 参数 | 规格 |
|---|---|
| 制造商 | 三星电子(Samsung Electronics) |
| 内存类型 | DDR4 SDRAM |
| 存储密度 | 8 Gbit(约1 GB) |
| 组织结构 | 512M × 16(512M地址单元,16位数据输出) |
| 封装类型 | FBGA-96(细间距球栅阵列,96-ball) |
| 封装尺寸 | 约 13.3mm × 10.0mm(含基板) |
| 时钟频率 | 1333 MHz,对应数据传输速率2666 Mbps |
| 数据传输速率 | 2400 ~ 3200 Mbps(支持范围) |
| 工作电压 | 1.2 V(VDD / VDDQ,范围1.14V~1.26V) |
| 最大访问时间 | 0.17 ns |
| 最大工作电流 | 166 mA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C(Tc操作温度) |
| 标准符合性 | JEDEC DDR4 标准、RoHS 合规 |
技术特性详解
高速数据传输能力
K4A8G165WC-BCTD支持最高3200Mbps的数据传输速率,属于DDR4-3200规格。1333MHz的时钟频率配合DDR双倍数据速率技术,在时钟信号的上升沿和下降沿同时进行数据传输,实现数据速率加倍。这一带宽能够有效满足多核处理器对数据吞吐量的需求,适用于服务器、工作站和高性能计算场景。
512M×16的组织结构
x16的数据总线宽度意味着单颗颗粒即可提供16位的并行数据通道。组织形式为512M × 16,即512M地址单元,每个单元输出16位数据。这一特性使其非常适合需要紧凑设计的应用场景,例如仅需少量颗粒即可构成完整内存通道的工业主板或笔记本电脑的板载内存方案。
低电压与节能设计
1.2V的标准工作电压是DDR4世代的重要特性之一。相较于DDR3的1.5V,该电压降低了约20%的功耗,有效减少系统发热并提升能源效率。芯片还支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)等多种低功耗管理模式。
多Bank并行架构
芯片内部集成多个存储银行(Banks)和银行组(Bank Groups),支持并行操作和快速预充电,提升随机访问和连续访问效率。采用多Bank页突发访问模式(Multi Bank Page Burst),优化了高频操作下的数据吞吐能力。
标准FBGA封装
96-ball FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array)封装是该容量DDR4颗粒的行业标准形式,球径小,利于高速信号传输和紧凑PCB布局,同时提供良好的散热性能和机械可靠性。
应用领域
凭借其8Gbit的容量、3200Mbps的高速传输和1.2V的低功耗特性,该芯片适用于以下领域:
| 应用领域 | 具体场景 |
|---|---|
| 服务器与数据中心 | 企业级服务器、数据中心存储阵列、云计算节点的主内存 |
| 个人计算设备 | 高性能台式机、笔记本电脑、一体机内存模组(DIMM/SO-DIMM) |
| 嵌入式与工业系统 | 工业控制、网络通信设备、自动化系统中的高速数据缓冲 |
| 工作站与专业计算 | 图形工作站、科学计算、虚拟化环境的高带宽内存支持 |
型号解码说明
K4A8G165WC-BCTD型号的命名规则解析如下:
| 字段 | 含义 |
|---|---|
| K4A | 三星DDR4 SDRAM产品系列标识 |
| 8G | 容量为8 Gbit |
| 165 | x16数据总线组织(16位宽度) |
| W | 特定芯片版本/代际 |
| C | 工艺版本标识 |
| BCTD | 封装、速度等级与温度等级版本(FBGA-96,DDR4-2666等级) |
K4A8G165WC-BCTD | 三星 | Samsung | DDR4 SDRAM | 8Gbit内存颗粒 | 1GB | 512Mx16 | 2666Mbps | DDR4-2666 | 1333MHz | 1.2V | FBGA-96封装 | 96-ball | JEDEC标准 | 0°C~95°C | 服务器内存 | 笔记本内存 | 嵌入式DRAM | 板载内存 | 工业计算机 | 多Bank并行 | 自动刷新 | 自刷新 | 低功耗DDR4 | RoHS合规 | 替代K4A8G165WB | 三星DDR4颗粒 | 高频内存
Email: carrot@aunytorchips.com
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