1、代数：DDR3、DDR4、DDR5

2、容量：16G 32G 64G 128G，优先同容量、对称插满内存通道，发挥多通道性能。（比如要求32GB内存要求，16GB2比32GB1更能发挥多通道性能）

3、形态规格

· MRDIMM：多路复用秩内存，双秩并行提升带宽，专为 AI、高性能计算场景设计，兼容标准插槽、支持 ECC 纠错。

· RDIMM：寄存器内存，服务器主力，容量大、稳定性强、支持多路 CPU，带寄存器 / 奇偶校验。

· LRDIMM：低负载内存，单条容量更大、降低总线负载，高密度机型优选。

· UDIMM：无寄存器，台式机 / 入门单路服务器用，价格低、容量上限低，多路服务器不推荐。

· SODIMM：笔记本 / 工控 / 迷你服务器，尺寸更小

4、工作频率：单位MHz，频率越高理论带宽越大。

· DDR4：2133/2400/2666/2933/3200MHz

· DDR5：4800/5600/6000/8000/8800MHz

注意：受CPU 内存控制器上限约束，高频条会自动降频运行。

5、ECC纠错:错误校验与纠正，服务器必备。可自动修正单比特内存错误，避免宕机、数据损坏。 普通台式内存无 ECC，不能用于要求高可用的服务器

6、颗粒品牌:三星、海力士、美光、长鑫存储、紫光国微，决定内存品质与稳定性。

7、产地:韩国、美国一般包含颗粒 + 封装 + 模组，泰国一般是代工组装。

8、Rank（内存秩）：是内存控制器下，一组可独立寻址、并行工作的内存物理单元，由内存颗粒组成，一条内存条一般可包含 1 个 / 2 个 Rank。同规格下，双秩更容易做出大容量内存（如单条 64GB/128GB 服务器内存）。

9、CL 时序（CAS Latency）：内存收到读指令后，到正式输出数据的时钟周期数，是内存最核心的延迟参数。单位：时钟周期，数值越小 → 延迟越低、响应越快。同样内存频率下：CL16 < CL36 < CL40，CL 越小性能越好。

10、电压 ：内存工作时所需的标准供电电压，由平台规范定义，电压直接关联功耗、稳定性、超频能力、平台兼容性。

DDR3-标准版：1.5V

DDR4-标准电压：1.2V

DDR5-标准电压：1.1V

内存条电压为什么越做越低？

是物理、工艺、功耗、散热、高速信号共同倒逼的结果：

a）功耗与电压平方成正比，降压 = 大幅省电、降温；

b）制程越来越小，晶体管扛不住高压，不降会击穿、漏电；

c）频率越来越高，不降电压可能发热会爆炸；

d） 高速信号要求低压、小摆幅，才能稳定跑高频。